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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
98
左右 56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
98
读取速度,GB/s
5,987.5
10.7
写入速度,GB/s
2,160.7
9.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
1679
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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