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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
35
读取速度,GB/s
17.6
15.8
写入速度,GB/s
12.0
12.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3052
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
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