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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
35
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3052
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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