RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
35
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3052
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link