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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
43
左右 -2% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
42
读取速度,GB/s
5,987.5
15.5
写入速度,GB/s
2,160.7
14.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3170
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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