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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
5,987.5
14.6
写入速度,GB/s
2,160.7
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2959
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
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Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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