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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
5,987.5
17.6
写入速度,GB/s
2,160.7
14.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3687
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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