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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
5,987.5
14.1
写入速度,GB/s
2,160.7
8.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2372
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Mushkin 991586 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
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