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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
5,987.5
15.1
写入速度,GB/s
2,160.7
9.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2732
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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