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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
5,987.5
15.1
写入速度,GB/s
2,160.7
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2824
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Air Computers SRL MXUD3L08160011XB7R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
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