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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
InnoDisk Corporation 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
43
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
7.7
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
38
读取速度,GB/s
5,987.5
7.7
写入速度,GB/s
2,160.7
8.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2163
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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