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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
71
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.1
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.4
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
71
读取速度,GB/s
5,987.5
9.1
写入速度,GB/s
2,160.7
6.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
1484
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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