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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
43
左右 -13% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
38
读取速度,GB/s
5,987.5
15.2
写入速度,GB/s
2,160.7
11.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2821
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
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Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
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