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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
5,987.5
13.4
写入速度,GB/s
2,160.7
9.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2312
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
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