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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
43
左右 -95% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
22
读取速度,GB/s
5,987.5
15.0
写入速度,GB/s
2,160.7
6.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2272
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
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