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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.9
2,160.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
5,987.5
13.7
写入速度,GB/s
2,160.7
6.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2312
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
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Kingston 9905625-030.A00G 8GB
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