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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
比较
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
总分
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.7
1,892.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
6,181.5
17.0
写入速度,GB/s
1,892.9
15.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
851
3656
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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