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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,475.5
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
56
左右 -70% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
8800
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
33
读取速度,GB/s
4,878.3
16.2
写入速度,GB/s
2,475.5
12.0
内存带宽,mbps
8800
21300
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
3116
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
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