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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB

总分
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

总分
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Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 12.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 37
    左右 -42% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 12.4
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 8.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2143 left arrow 1710

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