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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB

Puntuación global
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Puntuación global
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Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 12.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 8.0
    Valor medio en las pruebas
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 37
    En -42% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 12.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 8.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2143 left arrow 1710

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