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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
比較する
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
総合得点
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
総合得点
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.2
12.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
8.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
37
周辺 -42% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
26
読み出し速度、GB/s
13.2
12.4
書き込み速度、GB/秒
8.4
8.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
12800
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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