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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
37
Autour de -42% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
37
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
12.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1710
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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