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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

总分
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

总分
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB 需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 27
    左右 -4% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.2 left arrow 13
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.8 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    13.0 left arrow 14.2
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 9.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1976 left arrow 2890

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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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