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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
比较
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
总分
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.0
16.2
写入速度,GB/s
8.0
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1976
2973
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO M418039 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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