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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
差异
规格
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差异
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
57
左右 -171% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
21
读取速度,GB/s
6.8
16.7
写入速度,GB/s
5.5
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
2691
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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