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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
57
左右 -148% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
23
读取速度,GB/s
6.8
17.4
写入速度,GB/s
5.5
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
2624
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
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