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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
3,405.2
16.4
写入速度,GB/s
2,622.0
12.6
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3046
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
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