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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Kingston 9965600-023.A00G 16GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
57
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.8
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
36
读取速度,GB/s
6.8
9.8
写入速度,GB/s
5.5
8.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
2159
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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