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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905700-012.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
33
读取速度,GB/s
12.3
14.0
写入速度,GB/s
8.9
9.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2489
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
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