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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.9
18.3
写入速度,GB/s
8.9
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2418
3529
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
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