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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
总分
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
总分
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
95
左右 72% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
95
读取速度,GB/s
13.9
15.8
写入速度,GB/s
8.9
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2418
1518
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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