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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
53
左右 49% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
53
读取速度,GB/s
13.9
20.0
写入速度,GB/s
8.9
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2418
2366
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
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