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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
比较
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
总分
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
总分
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
26
读取速度,GB/s
15.5
11.7
写入速度,GB/s
9.3
5.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2402
1771
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Crucial Technology ST51264BA1339.16FK 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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