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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
31
左右 42% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.2
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
31
读取速度,GB/s
17.7
19.2
写入速度,GB/s
13.1
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
3341
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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