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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
32
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
32
读取速度,GB/s
17.7
16.6
写入速度,GB/s
13.1
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2952
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM的比较
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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