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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
27
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
27
读取速度,GB/s
17.7
15.3
写入速度,GB/s
13.1
11.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2545
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
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