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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
36
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
36
读取速度,GB/s
17.7
14.7
写入速度,GB/s
13.1
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2998
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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