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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
比较
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
总分
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
28
读取速度,GB/s
14.2
17.4
写入速度,GB/s
9.5
14.5
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2222
3419
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB RAM的比较
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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