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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
11.8
15.7
写入速度,GB/s
7.3
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2776
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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