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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2776
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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