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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
35
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.7
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
24
读取速度,GB/s
11.5
13.8
写入速度,GB/s
6.5
6.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
2168
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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