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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
39
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
39
读取速度,GB/s
11.5
14.3
写入速度,GB/s
6.5
10.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1994
2159
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Inmos + 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
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