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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
比较
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB vs Kingston 9905702-184.A00G 8GB
总分
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
总分
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
40
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
22
读取速度,GB/s
11.9
18.4
写入速度,GB/s
7.2
15.8
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2124
3512
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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