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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Kingston 9905403-500.A01LF 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

总分
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB

Kingston 9905403-500.A01LF 8GB

总分
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905403-500.A01LF 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 54
    左右 26% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.9 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    23400 left arrow 10600
    左右 2.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 54
  • 读取速度，GB/s
    11.9 left arrow 10.4
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2124 left arrow 2259

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SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
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内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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