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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
总分
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
总分
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
82
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
82
读取速度,GB/s
13.0
12.3
写入速度,GB/s
9.0
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
1930
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
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