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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
总分
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
12.8
15.7
写入速度,GB/s
8.6
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2239
3035
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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