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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
33
读取速度,GB/s
11.9
13.5
写入速度,GB/s
7.6
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
2588
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
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