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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
比较
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
总分
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
12.8
15.2
写入速度,GB/s
8.6
8.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2239
2430
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
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