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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

总分
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

总分
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 34
    左右 26% 更低的延时
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.4 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.7 left arrow 8.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    12.8 left arrow 15.4
  • 写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 10.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2239 left arrow 2739

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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
内存RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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内存RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston 9905702-014.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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