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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
比较
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
总分
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
总分
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.2
14.6
写入速度,GB/s
8.4
9.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2163
2320
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT425U6AFR6C-PB 2GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
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